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為了研究低DO下負(fù)荷對(duì)污泥膨脹的影響,采用SBR反應(yīng)器,在DO<0.5 mg.L-1,pH 7.2~8.0,溫度(23±0.5)℃,MLSS 3000~3500 mg.L-1,負(fù)荷分別為0.22、0.44、0.66 g COD.(g MLSS)-1.d-1的條件下,研究不同負(fù)荷下的SVI變化趨勢(shì)、污泥膨脹類型、引發(fā)原因、耗氧速率、脫氮除磷效果與同步硝化反硝化率。結(jié)果顯示,低DO下(<0.5 mg.L-1),負(fù)荷0.22 g COD.(g MLSS)-1.d-1時(shí)未發(fā)生污泥膨脹,隨著負(fù)荷升高,污泥沉降性惡化加快。并且不同負(fù)荷引發(fā)的污泥膨脹類型不同,在負(fù)荷0.66 g COD.(g MLSS)-1.d-1時(shí)發(fā)生黏性膨脹,而負(fù)荷0.44 g COD.(g MLSS)-1.d-1時(shí)發(fā)生絲狀菌微膨脹。黏性膨脹時(shí)出水氨氮及磷去除效果變差,但絲狀菌膨脹時(shí)出水水質(zhì)并沒(méi)有受到影響,且比吸磷速率更快,出水SS更低。未發(fā)生污泥膨脹時(shí)同步硝化反硝化率最大,絲狀菌膨脹時(shí)次之,黏性膨脹時(shí)最小。SOUR過(guò)高時(shí),很可能伴隨著污泥沉降性變差和出水水質(zhì)惡化。
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中、大功率晶體管生產(chǎn)中,晶體管芯片與框架的粘接質(zhì)量是決定晶體管性能的關(guān)鍵之一。可以說(shuō),晶體管芯片制成后,芯片與框架的粘接質(zhì)量是晶體管成品質(zhì)量的決定性因素。目前,對(duì)于中、大功率晶體管均采用錫基或鉛基合金作粘片材料,而且都是將合金制成薄帶狀。這種帶狀合金有利于自動(dòng)化程度較高的粘片機(jī)使用,而且對(duì)每個(gè)晶體管的合金用量基本一致。
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