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(完整版)全系列場效應管VMOSIGBT參數(shù)

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1 全系列場效應管 VMOS 、IGBT 參數(shù) 產(chǎn) 品 型 號 溝道 主 要 參 數(shù) 外 型 廠 家 IRF064 N 60V、40A、 180W TO—— 3P IR IRFP150 N 100V、40A、180W TO—— 3P IR IRFP240 N 200V、18A、180W TO—— 3P IR IRFP250 N 200V、32A、180W TO—— 3P IR IRFP260 N 250V、38A、250W TO—— 3P IR IRFP264 N 200V、46A、280W TO—— 3P IR IRFP350 N 400V、16A、180W TO—— 3P IR IRFP360 N 400V、24A、180W TO—— 3P IR IRFP450 N 500V、13A、180W TO—— 3P IR IRFP460 N 500V、21A、180W T

場效應管基礎知識介紹

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場效應管基礎知識介紹 一、場效應三極管的型號命名方法 第二種命名方法是 CS××#, CS代表場效應管,××以數(shù)字代表型號的序號, #用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。 例如 CS14A、CS45G等。 二、場效應管的參數(shù) 1、 I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓 U GS=0時的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。 3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。 4、gM — 跨導。是表示柵源電壓 U GS — 對漏極電流 I D的控制能力,即漏極電流 I D變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值。 gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓 UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù), 加

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