為了實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)環(huán)境下電感儲(chǔ)能的快速釋放,設(shè)計(jì)了一種基于meissner效應(yīng)的激光觸發(fā)變磁超導(dǎo)斷路開(kāi)關(guān),基于該斷路開(kāi)關(guān)的電感式功率脈沖電源采用外置工頻供電常溫充電器,采用lcc逆變電路,省去中間的高頻變壓器,逆變輸出直接整流對(duì)中間儲(chǔ)能電容充電、再由電容向超導(dǎo)電感放電儲(chǔ)能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。首先進(jìn)行變磁超導(dǎo)斷路開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),說(shuō)明其基于meissner效應(yīng)的工作原理及進(jìn)行影響斷路性能的因素分析。之后利用有限元分析的方法,對(duì)超導(dǎo)薄膜失超前后開(kāi)關(guān)內(nèi)磁場(chǎng)分布進(jìn)行仿真分析,并動(dòng)態(tài)地模擬了耦合電感次級(jí)所獲得的脈沖電流輸出。在給出整個(gè)電感式功率脈沖電源系統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)并簡(jiǎn)單分析了lcc逆變充電器的工作原理和參數(shù)選擇方法后,對(duì)用固態(tài)開(kāi)關(guān)模擬超導(dǎo)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)脈沖變壓器初級(jí)最大電流而得到次級(jí)高壓脈沖輸出的工作進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)分析。結(jié)果表明,按所選取的參數(shù),電源可實(shí)現(xiàn)前沿1.0μs、幅值30kv、脈寬(90%幅值)1.5μs的高壓脈沖輸出,重復(fù)工作頻率可>2.5khz;也可實(shí)現(xiàn)前沿8ns、幅值4.8ka的電流脈沖電流輸出,充電器不僅實(shí)現(xiàn)了對(duì)中間儲(chǔ)能電容的快速充電,而且穩(wěn)態(tài)工作時(shí)的損耗不超過(guò)輸入供電的5%。

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 精彩文檔 建平縣職業(yè)教育中心備課教案 課題 模塊（單元）第一章 項(xiàng)目（課）半導(dǎo)體的主要特征 授課班級(jí)11電子授課教師安森 授課類型新授授課時(shí)數(shù)2 教學(xué)目標(biāo)知識(shí)目標(biāo)描述半導(dǎo)體的主要特征 能力目標(biāo)能夠知道p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 情感態(tài)度目標(biāo)培養(yǎng)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，培養(yǎng)學(xué)生的愛(ài)崗敬業(yè)精神 教學(xué)核心教學(xué)重點(diǎn)半導(dǎo)體的主要特征 教學(xué)難點(diǎn)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 思路概述先講解半導(dǎo)體的特點(diǎn)，再講p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 教學(xué)方法讀書(shū)指導(dǎo)法、演示法。 教學(xué)工具電腦，投影儀 教學(xué)過(guò)程 一、組織教學(xué)：師生互相問(wèn)候，安全教育，上實(shí)訓(xùn)課時(shí)一定要聽(tīng)從老師的指揮，在實(shí)訓(xùn)室不要亂動(dòng)電源。 二、復(fù)習(xí)提問(wèn)：生活中哪些電子元器件是利用半導(dǎo)體制作出來(lái)的？ 三、導(dǎo)入新課：我們的生活中根據(jù)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可以分成哪幾種，這節(jié)課我

no.typevivofrepackageioηmax ocp otp sp 技術(shù)誤 差 同類pin對(duì)pin產(chǎn)品型 號(hào) 適用產(chǎn)品范圍備注 1td14103.6~201.222~18380khzsop-82a95%y≤3％ mps1410/9141/act4060/a tc4012/fsp3126/za3020 等 便攜式dvd、lcd顯示驅(qū)動(dòng)板。液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相 框.電信adsl.車載dvd/vcd/cd.gps。安防等 td1410采用cmos工藝/6寸晶圓。是一款高效率低損耗,工作穩(wěn)定,性價(jià)比 很高使用面廣的dc/dc電源管理芯片。 3td15341~200.8~18380khzsop82a95%y≤2％mp1513td1513 路由器，便攜式dvd、機(jī)頂盒、平板電腦、筆記本電腦、lcd顯示 驅(qū)動(dòng)板.液晶

　第30卷第3期硅酸鹽學(xué)報(bào)vol.30,no.3 　2002年6月journalofthechineseceramicsocietyjune,2002 綜合評(píng)述　　　寬帶隙半導(dǎo)體材料sic研究進(jìn)展及其應(yīng)用 王玉霞,何海平,湯洪高 (中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程系,合肥　230026) 摘　要:sic是第3代寬帶隙半導(dǎo)體的核心材料之一,具有極為優(yōu)良的物理化學(xué)性能,應(yīng)用前景十分廣闊.本文綜合介紹sic的基本特性,材 料的生長(zhǎng)技術(shù)(包括體單晶生長(zhǎng)和薄膜外延生長(zhǎng)技術(shù)),sic基器件的研發(fā)現(xiàn)狀,應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景.同時(shí)還介紹了作者用脈沖激光淀積法 在si襯底上制備出單晶4h-sic薄膜的研究結(jié)果. 關(guān)鍵詞:碳化硅;體單晶生長(zhǎng);薄膜;器件 中圖分類號(hào):tn

斷路開(kāi)關(guān)

半導(dǎo)體探測(cè)器

試基礎(chǔ)——術(shù)語(yǔ) 括一下內(nèi)容： 測(cè)試目的 測(cè)試術(shù)語(yǔ) 測(cè)試工程學(xué)基本原則 基本測(cè)試系統(tǒng)組成 pmu（精密測(cè)量單元）及引腳測(cè)試卡 樣片及測(cè)試程序 術(shù)語(yǔ) 半導(dǎo)體測(cè)試的專業(yè)術(shù)語(yǔ)很多，這里只例舉部分基礎(chǔ)的： 被實(shí)施測(cè)試的半導(dǎo)體器件通常叫做dut（deviceundertest，我們常簡(jiǎn)稱“被測(cè)器件”），或者叫uut（unitunde 我們來(lái)看看關(guān)于器件引腳的常識(shí)，數(shù)字電路期間的引腳分為“信號(hào)”、“電源”和“地”三部分。 腳，包括輸入、輸出、三態(tài)和雙向四類， 輸入：在外部信號(hào)和器件內(nèi)部邏輯之間起緩沖作用的信號(hào)輸入通道；輸入管腳感應(yīng)其上的電壓并將它轉(zhuǎn)化為內(nèi)部邏輯 輸出：在芯片內(nèi)部邏輯和外部環(huán)境之間起緩沖作用的信號(hào)輸出通道；輸出管腳提供正確的邏輯“0”或“1”的電壓，并 流）。 三態(tài)：輸出的一類，它有關(guān)閉的能力（達(dá)到高電阻值的狀態(tài)）。 雙向：擁有輸入、輸出功能并能達(dá)到高阻態(tài)的管腳。 腳，“電

目錄 目錄 1 一、 工程概況 3 二、 施工準(zhǔn)備 3 2．1、技術(shù)準(zhǔn)備 3 2.2、現(xiàn)場(chǎng)準(zhǔn)備 3 2.3、樁機(jī)準(zhǔn)備 5 2.4、材料準(zhǔn)備 5 三、施工計(jì)劃 5 3.1、勞動(dòng)力需求計(jì)劃 5 3.2、機(jī)具需用計(jì)劃 5 3.3、施工材料需用計(jì)劃 6 3.4、施工進(jìn)度計(jì)劃 6 四、 施工方案 6 4.1樁基工程 6 4.2土方開(kāi)挖 8 4.3基礎(chǔ)模板工程 8 4.4基礎(chǔ)鋼筋工程 8 4.5基礎(chǔ)砼工程 9 4.6注意事項(xiàng) 9 五、質(zhì)量管理與保證措施 9 1、質(zhì)量保證體系 9 2、iso9002體系認(rèn)證 10 3、項(xiàng)目配備 10 4、各種質(zhì)量管理制度 10 4.1技術(shù)質(zhì)量責(zé)任制 10 4.2原材料、構(gòu)配件的試驗(yàn)和檢測(cè)制度 10 4.3質(zhì)量崗位制度 11 4.4質(zhì)量預(yù)控制 11 4.5質(zhì)量跟蹤檢查制 11 4.6質(zhì)

半導(dǎo)體、電子設(shè)備：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股

半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料

利用pic(particleincell)方法,結(jié)合實(shí)驗(yàn)裝置的幾何結(jié)構(gòu)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果,采用動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)模型,對(duì)微秒等離子體斷路開(kāi)關(guān)和電感負(fù)載間的功率流特性進(jìn)行了研究。模擬得到了與實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合較好的開(kāi)關(guān)電壓和負(fù)載電流波形,并給出了開(kāi)關(guān)下游出現(xiàn)的稀薄等離子體的密度(約1012cm-3)和速度(約1cm/ns),同時(shí)也得到了開(kāi)關(guān)下游的空間電流分布。模擬結(jié)果表明,開(kāi)關(guān)下游的結(jié)構(gòu)應(yīng)避免阻抗突變以減少電流損失,同時(shí)提高開(kāi)關(guān)阻抗可有利于提高負(fù)載上的最大功率。

模擬開(kāi)關(guān)以信號(hào)電平或波形為關(guān)注對(duì)象,對(duì)模擬信號(hào)或數(shù)字信號(hào)進(jìn)行接通/斷開(kāi)動(dòng)作,如圖1所示。這種開(kāi)關(guān)是一種功能與機(jī)械開(kāi)關(guān)相同的電子電路,它可以根據(jù)選通端的電平,決定輸入端與輸出端的狀態(tài)。當(dāng)選通端處在選通狀態(tài)時(shí),輸出端的狀態(tài)取決于輸入端的狀態(tài);當(dāng)選通端處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),則不管輸入端電平如何,輸出端都呈高阻狀態(tài)。與傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)相比,模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、抖動(dòng)小、工作可靠、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)?？蓮V泛應(yīng)用于電子電路的通斷控制、多路切換控制等領(lǐng)域。常用模擬開(kāi)關(guān)可分為使用晶體管的開(kāi)關(guān)電路和使用場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)集成電路。

半導(dǎo)體制冷及其在物理實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用——半導(dǎo)體制冷是通過(guò)空穴和電子在運(yùn)動(dòng)中直接傳遞熱量的固體致冷方式．本文通過(guò)半導(dǎo)體致冷型恒溫量熱器和半導(dǎo)體熱電特性實(shí)驗(yàn)為例，說(shuō)明在物理實(shí)驗(yàn)中應(yīng)用半導(dǎo)體制冷技術(shù)的設(shè)計(jì)思路及優(yōu)勢(shì)。

半導(dǎo)體光源與照明方式相互適應(yīng)的研究

半導(dǎo)體制冷及其在微電子裝置中的應(yīng)用——本文主要介紹半導(dǎo)體制冷的基本原理及主仲技術(shù)在計(jì)算機(jī)散熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用．

大學(xué)生電腦主頁(yè)-dxsdiannao.com–大學(xué)生喜歡的都在這里 大學(xué)生電腦主頁(yè)——dxsdiannao.com——大學(xué)生的百事通 《半導(dǎo)體集成電路》課程教學(xué)大綱 （包括《集成電路制造基礎(chǔ)》和《集成電路原理及設(shè)計(jì)》兩門課程） 集成電路制造基礎(chǔ)課程教學(xué)大綱 課程名稱：集成電路制造基礎(chǔ) 英文名稱：thefoundationofintergratecircuitfabrication 課程類別：專業(yè)必修課 總學(xué)時(shí)：32學(xué)分：2 適應(yīng)對(duì)象：電子科學(xué)與技術(shù)本科學(xué)生 一、課程性質(zhì)、目的與任務(wù)： 本課程為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本科生必修的一門工程技術(shù)專業(yè)課。半導(dǎo)體科 學(xué)是一門近幾十年迅猛發(fā)展起來(lái)的重要新興學(xué)科，是計(jì)算機(jī)、雷達(dá)、通訊、電子技術(shù)、自動(dòng) 化技術(shù)等信息科學(xué)的基礎(chǔ)，而半導(dǎo)體工藝主要討論集成電路的制造、加工技術(shù)以及制造中涉 及的原材料的制備，是

脈沖半導(dǎo)體激光測(cè)距接收電路與計(jì)時(shí)方法研究 pulsesemiconductorlaserrangefinder receivingcircuitandtimingmethod 摘要 本論文詳細(xì)討論了一種可實(shí)現(xiàn)高速激光測(cè)距的接收電路和計(jì)時(shí)電 路。實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用apd作為光電傳感器，將激光脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)槲⑷?電流脈沖，經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大后，信號(hào)變?yōu)榉容^大的電壓脈沖，經(jīng)過(guò)時(shí)點(diǎn) 鑒別電路分別確定計(jì)時(shí)起點(diǎn)和終點(diǎn)后，由計(jì)時(shí)電路來(lái)精確測(cè)量?jī)蓚€(gè)時(shí)間 點(diǎn)之間的時(shí)間間隔?；趥鬟f延時(shí)插入法和cpld的工作原理，對(duì)快速 測(cè)距技術(shù)進(jìn)行了研究，研制了一種能實(shí)現(xiàn)收到回波脈沖后80ns內(nèi)完成 測(cè)距，測(cè)距精度士0.2m的計(jì)時(shí)電路，并將該電路集成于一片可編程邏 輯器件中，減小了電路面積和功耗，增強(qiáng)了抗干擾能力。 關(guān)鍵詞：高速測(cè)距邏輯器件傳遞延時(shí)apd激光測(cè)距 abstract at

介紹用于真空儲(chǔ)能裝置中的離子束斷路開(kāi)關(guān)——ibos。它是利用高速低密離子束代替低密中速等離子體融蝕斷路開(kāi)關(guān)“等離子體”而形成的,從而獲得了更短的開(kāi)斷時(shí)間(<4ns)。

介紹了國(guó)內(nèi)外電感儲(chǔ)能（包括超導(dǎo)儲(chǔ)能）高功率脈沖電源及斷路開(kāi)頭的新近進(jìn)展情況以及用功率電子器件或超導(dǎo)開(kāi)關(guān)做斷路開(kāi)關(guān)的幾種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

介紹了幾種用于脈沖功率電感儲(chǔ)能技術(shù)的微秒級(jí)傳導(dǎo)時(shí)間斷路開(kāi)關(guān)的原理和應(yīng)用,并就它們的各自的特點(diǎn)進(jìn)行了評(píng)述

晶閘管作為脈沖功率開(kāi)關(guān)器件時(shí),其短時(shí)導(dǎo)通電流往往數(shù)倍于它的通態(tài)平均電流,短時(shí)積聚的損耗會(huì)使晶閘管結(jié)區(qū)累積大量熱量,造成其結(jié)溫瞬間陡升,試驗(yàn)表明極易使得晶閘管因結(jié)區(qū)過(guò)溫而擊穿。因此如何優(yōu)化設(shè)計(jì)晶閘管脈沖功率開(kāi)關(guān)閥體結(jié)構(gòu)、最大限度快速散熱、降低結(jié)區(qū)溫升,具有重要意義。介紹了基于abb的5stp52u5200型晶閘管所構(gòu)建的脈沖功率開(kāi)關(guān)閥體結(jié)構(gòu)及其柯?tīng)枱嶙杩鼓Ｐ?并利用matlab的simulink構(gòu)建脈沖功率開(kāi)關(guān)閥體的熱網(wǎng)絡(luò)仿真模型,獲取晶閘管耗散功率與其最高結(jié)溫、晶閘管耗散功率與其殼溫的可視化關(guān)系曲線,歸納了脈沖功率開(kāi)關(guān)導(dǎo)電極的熱阻與熱容對(duì)晶閘管最高結(jié)溫的影響規(guī)律,為晶閘管脈沖功率開(kāi)關(guān)閥體結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供了依據(jù),并得到了試驗(yàn)驗(yàn)證。

意法半導(dǎo)體日前推出一個(gè)用于變換器的一次側(cè)開(kāi)關(guān)ic，新產(chǎn)品可用于dvd視盤機(jī)、lcd顯示器、機(jī)頂盒、游戲控制臺(tái)和其它設(shè)備的適配器，它還可用于服務(wù)器的獨(dú)立式電源。