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一、 電路原理分析與計(jì)算 1. 反相比例運(yùn)算電路 輸入信號(hào)從反相輸入端引入的運(yùn)算，便是反相運(yùn)算。反饋電阻 RF 跨接在輸 出端和反相輸入端之間。根據(jù)運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)時(shí)的虛開(kāi)路原則可知： i- ＝0，因此 i1＝ i f。電路如圖 1所示， R1 10kΩ V1 500mV U1A TL082CD 3 2 4 8 1 R2 9.1k Ω RF 100kΩ V2 12 V V3 12 V XMM1 圖 1 根據(jù)運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)時(shí)的虛短路原則可知： u-＝u+＝0。 由此可得： 0 1 f i R u u R 因此閉環(huán)電壓放大倍數(shù)為： 1 o f uo i u R A u R 2. 同相比例運(yùn)算電路 輸入信號(hào)從同相輸入端引入的運(yùn)算，便是同相運(yùn)算。電路如圖 2所示， U1A TL082CD 3 2 4 8 1 R2 10kΩ RF 10kΩ V2 12 V V3 12 V X
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山東科技大學(xué)工程碩士學(xué)位論文 跨導(dǎo)運(yùn)算放大器及其 Spice電路模型的構(gòu)建 2.1 CMOS 模擬集成電路基本單元 2.1.1 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管又叫作 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管，意為金屬 -氧化物 -半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。圖 2.1 為 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)。圖中的 N型硅襯底是雜質(zhì)濃度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作兩個(gè)相距很近的 P區(qū)，分別引為漏極和源極， 而由金屬鋁構(gòu)成的柵極則 是通過(guò)二氧化硅絕緣層與 N型襯底及 P型區(qū)隔離。這也是絕緣柵 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管名稱的 由來(lái)。因?yàn)闁艠O與其它電極隔離， 所以柵極是利用感應(yīng)電荷的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道去控 制漏源電流的。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電溝道由半導(dǎo)體表面場(chǎng)效應(yīng)形成。 柵極加有負(fù)電壓， 而 N 型襯底加有正電壓。由于鋁柵極和 N型襯底間電場(chǎng)的作用，使絕緣層下面的 N 型 襯底表面的電子被排斥，而帶正電的空穴被吸引到表面上
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運(yùn)算放大器應(yīng)用電路設(shè)計(jì)相關(guān)問(wèn)答
運(yùn)算放大器應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
專題概述
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