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新型光刻膠及玻璃刻蝕應(yīng)用研究
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研究應(yīng)用O2反應(yīng)離子刻蝕(RIE)直接深刻蝕商用有機(jī)玻璃(PMMA)片,以實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的三維微加工,工藝簡單,加工成本較低,為微器件的高深寬比加工提出了新方法。試樣采用Ni作掩膜,以普通的光刻膠曝光技術(shù)和濕法刻蝕法將Ni掩膜圖形化。工作氣壓、刻蝕功率等工藝參數(shù)對刻蝕速率影響較大。在刻蝕過程中,掩膜上的金屬粒子會被刻蝕氣體離子轟擊而濺射散落出來,形成微掩膜效應(yīng)。利用這種RIE技術(shù),在適當(dāng)?shù)臑R射功率及氣壓下,刻蝕速率較快,且獲得了較陡直的微結(jié)構(gòu)圖形,刻蝕深度達(dá)120μm。
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