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SuperMESH3功率MOSFET主要用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。620V的STx6N62K3是SuperMESH3系列的首款產(chǎn)品，后續(xù)產(chǎn)品有620V的STx3N62K3和525V的STX7N52K3和STX6N52K3。SuperMESH3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻，在620V電壓下，DPAK封裝的STD6N62K3把導(dǎo)通電阻降低到1．28Ω；在525V電壓下，STD7N52K3把導(dǎo)通電阻降低到0．98Ω，從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。
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本文研究了開關(guān)電源中MOSFET漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性,通過提取MOSFET漏源極時(shí)域電壓信號的特征參數(shù), 對其波形進(jìn)行了仿真,分析了該信號電磁干擾的頻譜特點(diǎn),并分別研究了信號中各參數(shù)對頻譜的影響,Matlab仿真表明,該研究結(jié)果對解決電磁干擾問題具有很好的參考和利用價(jià)值。
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