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山東科技大學工程碩士學位論文 跨導運算放大器及其 Spice電路模型的構建 2.1 CMOS 模擬集成電路基本單元 2.1.1 MOS 場效應管的基本結構 絕緣柵場效應管又叫作 MOS 場效應管,意為金屬 -氧化物 -半導體場效應管。圖 2.1 為 MOS 場效應管的結構和電路符號。圖中的 N型硅襯底是雜質濃度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作兩個相距很近的 P區(qū),分別引為漏極和源極, 而由金屬鋁構成的柵極則 是通過二氧化硅絕緣層與 N型襯底及 P型區(qū)隔離。這也是絕緣柵 MOS 場效應管名稱的 由來。因為柵極與其它電極隔離, 所以柵極是利用感應電荷的多少來改變導電溝道去控 制漏源電流的。 MOS場效應管的導電溝道由半導體表面場效應形成。 柵極加有負電壓, 而 N 型襯底加有正電壓。由于鋁柵極和 N型襯底間電場的作用,使絕緣層下面的 N 型 襯底表面的電子被排斥,而帶正電的空穴被吸引到表面上
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