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更新時(shí)間：2025.05.17

頭條 D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成為jk觸發(fā)器

D觸發(fā)器的狀態(tài)方程是：Q*=D；jk觸發(fā)器的狀態(tài)方程是：Q*=JQ'+K'Q。讓兩式相等可得：D=JQ'+K'Q。用門電路實(shí)現(xiàn)上述函數(shù)即可轉(zhuǎn)換成為j...

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MCML電路由于具有高速低擺幅、抗干擾能力強(qiáng)、在高頻下比傳統(tǒng)CMOS電路功耗更低等優(yōu)點(diǎn),越來(lái)越受到廣泛關(guān)注.通過(guò)分析二值MCML電路的設(shè)計(jì)方法,引入與參考電壓進(jìn)行比較的思路,設(shè)計(jì)了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的新型高性能三值D型觸發(fā)器.采用TSMC 180nm工藝,使用HSPICE進(jìn)行模擬.結(jié)果表明,所設(shè)計(jì)的觸發(fā)器不僅具有正確的邏輯功能,工作頻率達(dá)到10GHz,平均D-Q延時(shí)和PDP也比傳統(tǒng)CMOS三值觸發(fā)器有明顯降低,且隨著工作頻率的上升,PDP不斷下降,適合于高速和高工作頻率的應(yīng)用.

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采用當(dāng)前成熟的兩種抗單粒子翻轉(zhuǎn)鎖存器構(gòu)成了主從D觸發(fā)器,在D觸發(fā)器加固設(shè)計(jì)中引入了時(shí)鐘加固技術(shù),對(duì)輸出也采用了加固設(shè)計(jì)。仿真對(duì)比顯示本設(shè)計(jì)的加固效果優(yōu)于國(guó)內(nèi)同類設(shè)計(jì)。

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