葉序結構拋光墊表面的拋光液流場分析
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為了解決在化學機械拋光過程中拋光接觸區(qū)域內拋光液的分布均勻性問題,基于生物學的葉序理論,設計葵花籽粒結構的仿生拋光墊,建立化學機械拋光拋光液流場的運動方程和邊界條件,利用流體力學軟件(Fluent)對拋光液的流動狀態(tài)進行仿真,并獲得葉序參數(shù)對拋光液流動狀態(tài)的影響規(guī)律。結果表明:拋光液在基于葵花籽粒的仿生拋光墊的流動是均勻的,拋光液沿著逆時針和順時針葉列斜線溝槽流動,有利于流體向四周發(fā)散。
CMP拋光液流場數(shù)值仿真 CMP拋光液流場數(shù)值仿真
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建立了一種基于流體動力學的化學機械拋光模型,利用流體動力學方法推導了拋光液流場的雷諾方程,并通過計算機求解偏微分方程,對拋光過程中晶片和拋光墊之間的拋光液液體薄膜厚度以及液體薄膜壓力分布進行了仿真計算。分析了液膜厚度、晶片傾斜角和液膜負荷力、液膜壓力力矩的關系,討論了拋光載荷、拋光轉速對最小液膜厚度、晶片傾斜角以及液膜壓力分布的影響。結果表明,不同拋光速度和拋光載荷下,拋光液膜厚度、液膜壓力和晶片傾斜角呈現(xiàn)不同的分布規(guī)律。比較仿真和實驗中拋光輸入?yún)?shù)對晶片下液膜厚度的影響曲線發(fā)現(xiàn),仿真結果與實驗結果的變化趨勢一致,證明建立的拋光液液膜厚度及液膜壓力分布模型的有效性。
基于仿生結構錫拋光墊的拋光接觸壓力分析 基于仿生結構錫拋光墊的拋光接觸壓力分析
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為了讓化學機械拋光中晶片接觸表面受力更均勻,基于winkler地基理論及葉序理論設計了一種錫仿生結構拋光墊,并且建立了拋光的接觸力學模型和有限元分析模型。通過對拋光晶片表面接觸壓力的計算,獲得了晶片表面接觸壓力分布,以及各物理參數(shù)對壓力分布的影響規(guī)律。研究結果表明,使用錫仿生結構拋光墊能減小材料橫向牽連效應,改善接觸壓力分布,而且存在使壓力分布更為均勻的葉序參數(shù)。
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固結磨料拋光墊拋光硅片的探索研究 固結磨料拋光墊拋光硅片的探索研究
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4.6
采用失重法與鉛筆硬度計分析了拋光墊的組分對其溶脹率及干濕態(tài)硬度的影響,比較了固結磨料方法與游離磨料方法拋光后硅片的表面粗糙度。結果表明:拋光墊基體的溶脹率隨基體中聚乙二醇雙丙烯酸酯(pegda)或乙氧基化三羥基丙烷三丙酸酯(eo15-tmapta)含量的增加而提高;基體的干態(tài)硬度隨pegda含量的增加先有所增大,而后減小,隨eo15-tmapta含量的增加而增大;濕態(tài)下鉛筆硬度隨pegda或eo15-tmapta含量的增加而減小;光引發(fā)劑量的增加,有利于增大基體的干濕態(tài)硬度;固結磨料拋光硅片的去除速率是游離磨料加工的2～3倍,而前者拋光硅片后的表面粗糙度ra為12.2nm,大于后者的4.32nm。
化學機械拋光中拋光墊表面溝槽的研究 化學機械拋光中拋光墊表面溝槽的研究
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拋光墊表面溝槽是決定拋光墊性能的重要因素之一。介紹了拋光墊表面溝槽的形狀、尺寸和傾斜角度等因素對拋光過程的影響規(guī)律,認為:負螺旋對數(shù)型溝槽拋光墊的性能最佳,溝槽的深度和寬度會影響加工區(qū)域拋光液的平均駐留時間、混和效率及成分,溝槽的傾斜角度也會影響拋光效率,-20°傾斜角拋光墊的拋光效率最高。
葉序結構拋光墊表面的拋光液流場分析熱門文檔
納米CeO_2拋光液的制備及其拋光性能研究 納米CeO_2拋光液的制備及其拋光性能研究
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在水體系中采用沉淀法制備了納米ceo2粉體,并用xrd、sem、tem等對其晶體結構、粒度與形貌等進行了表征。將所得粉體配成水基納米ceo2拋光液,研究了其拋光硅片的性能與機理,并與納米sio2拋光液作對比。結果表明,粒度在100nm以下的ceo2對硅片具有良好的拋光效果,拋光后硅片表面形貌有很大改觀,表面劃痕被拋掉,在面積172μm×128μm的范圍內得到了表面粗糙度ra為0.689nm的超光滑表面。
牙間隙的拋光基托磨光面的拋光
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牙間隙的拋光基托磨光面的拋光
化學機械拋光墊溝槽形狀的研究及展望 化學機械拋光墊溝槽形狀的研究及展望
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在化學機械拋光過程中,溝槽形狀是拋光墊性能的重要影響因素之一,它會直接影響拋光效果。本文介紹了化學機械拋光墊上溝槽的基本形狀及其對拋光效果的影響,以及不同復合形狀的拋光墊溝槽及其對拋光效果的影響,并就研究中現(xiàn)存的主要問題提出展望。
葉序結構拋光墊表面的拋光液流場分析精華文檔
拋光磚拋光廢料的回收利用途徑分析 拋光磚拋光廢料的回收利用途徑分析
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陶瓷拋光磚拋光廢料產出量很大,嚴重污染周邊環(huán)境,是困擾拋光磚生產的世界性難題。本文通過對此方面的研究結果,著重論述了陶瓷拋光磚拋光廢料回收利用的可行性方法。
線切割加工表面的玻璃珠噴丸拋光 線切割加工表面的玻璃珠噴丸拋光
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線切割加工表面的玻璃珠噴丸拋光
不銹鋼電解拋光液操作工藝流程
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森源化工專業(yè)生產不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設備銅材拋光液 森源化工專業(yè)生產不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設備銅材拋光液 不銹鋼電解拋光液操作工藝流程 森源牌環(huán)保不銹鋼電解拋光液已通過sgs認證，不含鉻酸，符合環(huán)保要求。適合所有不銹鋼和不銹鐵的拋光，通用性強（不銹鋼材料可拋出鏡面效果）。槽液24小時連續(xù) 工作可以保用一年以上。成本低，比普通型電解拋光液省一半的用電量。無不良氣味。 除油脫脂→浸泡洗→電解拋光→浸泡洗→脫膜→浸泡洗→中和→浸泡洗→過純水→烘干包裝 工序說明: 1．清洗除油后漂水。 森源化工專業(yè)生產不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設備銅材拋光液 森源化工專業(yè)生產不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設備銅材拋光液 2．將電解拋光液加熱至55-75度（可用石英棒或鈦制加熱
金剛石丸片與固結磨料拋光墊研磨硅片的比較研究 金剛石丸片與固結磨料拋光墊研磨硅片的比較研究
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采用金剛石丸片和固結磨料拋光墊兩種方式研磨加工硅片,以硅片的材料去除率(mrr)和表面粗糙度(sa)為指標對金剛石丸片和固結磨料拋光墊的研磨性能進行了評價。結果表明:固結磨料拋光墊研磨硅片的材料去除率高于金剛石丸片;研磨后硅片的表面粗糙度也優(yōu)于金剛石丸片,且表面粗糙度(sa)在中部和邊緣相差不大。最后分析了研磨硅片的產物-磨屑的形狀特征,得出固結磨料拋光墊研磨硅片時的塑性去除量遠高于金剛石丸片。
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拋光磚表面防污技術研究 拋光磚表面防污技術研究
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本文研制了室溫固化的拋光磚表面防污劑。它具有固化后不收縮、透明度高、耐水擦拭和浸泡的特性,并具有很好的滲透性和附著力。文中還討論了以石油醚為溶劑的鈦酸四異丙酯對防污劑固化速度的影響以及甲基含氫硅油和鈦酸四異丙酯的含量對防污性的影響。
超光滑表面拋光技術的新進展 超光滑表面拋光技術的新進展
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總結了最近幾年來國外在超光滑表面拋光技術方面的新進展;介紹各種新超光滑表面加工技術的工作原理,總結其主要特征,并提供一些最新的實驗結果。
藍寶石基片的超光滑表面拋光技術 藍寶石基片的超光滑表面拋光技術
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文中介紹了藍寶石基片的主要拋光方法,包括浮法拋光、機械化學拋光、化學機械拋光和水合拋光等,對它們的工作原理、特點作了分析和總結。
激光剝離GaN表面的拋光技術 激光剝離GaN表面的拋光技術
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激光剝離(llo)技術是研制新型氮化鎵(gan)基諧振腔結構光電子器件的關鍵技術。然而llo后的gan表面往往具有較大的粗糙度,而制作諧振腔結構器件需要很高的表面平整度,因此需要對llo后的gan表面進行拋光。分別采用金剛石粉拋光液和膠粒二氧化硅拋光液進行機械拋光和化學機械拋光(cmp),并對比了兩種方法獲得的拋光結果,研究發(fā)現(xiàn)前者會在拋光后的gan表面引入劃痕,而采用后者可以得到亞納米級平整度的表面。進一步的實驗結果表明,膠粒二氧化硅拋光液同樣適用于圖形化襯底外延片激光剝離后的gan表面拋光。
拋光磚表面防污劑的研制 拋光磚表面防污劑的研制
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研制了室溫固化的拋光磚表面防污劑,對拋光磚的微孔和表面具有很好的滲透性和附著力,透明度高,耐水和耐有機溶劑擦拭。討論了影響防污劑固化速度和防污性的諸種因素。
拋光磚表面防污劑的研制 拋光磚表面防污劑的研制
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概述了拋光磚產品表面耐污染性差的原因和解決途徑，并著重討論了開發(fā)的防污劑的性能及效果。
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