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LED 芯片的發(fā)光原理與分類 一、 LED 歷史 50 年前人們已經(jīng)了解半導(dǎo)體材料可產(chǎn)生光線的基本知識， 1962 年，通用電氣公司的尼克 何倫亞克（NickHolonyakJr.）開發(fā)出第一種實(shí)際應(yīng)用的可見光發(fā)光二極管。 LED 是英文 light emitTIng diode（發(fā)光二極管）的縮寫，它的基本結(jié)構(gòu)是一塊電致發(fā)光的半導(dǎo)體材料，置于 一個(gè)有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，即固體封裝，所以能起到保護(hù)內(nèi)部芯線 的作用，所以 LED 的抗震性能好。 最初 LED 用作儀器儀表的指示光源， 后來各種光色的 LED 在交通信號燈和大面積顯示屏 中得到了廣泛應(yīng)用，產(chǎn)生了很好的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。以 12 英寸的紅色交通信號燈為 例，在美國本來是采用長壽命、低光效的 140瓦白熾燈作為光源，它產(chǎn)生 2000 流明的白 光。經(jīng)紅色濾光片后， 光損失 90%，只剩下 200流明的紅光。而
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(三 )DMD 芯片顯示原理的介紹 DMD 精微 反 射鏡面 是 一種 整合 的 微機(jī)電上 層結(jié)構(gòu) 電 路單 元 (MEMS superstructure cell)，它是利用 CMOS SRAM 記憶晶胞所制 成。DMD 上層結(jié)構(gòu)的制造是從 完整 CMOS 內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層 (hardened photoresist) 交替的上層結(jié)構(gòu)，鋁金屬層包括地址電極 (address electrode)、絞鏈 (hinge)、軛 (yoke) 和反射鏡，硬化光阻層則 作為犧牲層 (sacrificial layer)，用來形成兩個(gè) 空氣間 (air gaps)。鋁金屬會經(jīng)過濺鍍沉積 (sputter-deposited) 以及電漿蝕刻 (plasma-etched) 處理，犧牲層則會經(jīng)過電漿去灰 (plasma-ashed) 處理，以便制造出層間的
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