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更新時間:2025.06.01
金屬支架0.5W紅外發(fā)光二極管研究

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設(shè)計了一種采用金屬支架直接導(dǎo)熱的大功率紅外發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)通過增加芯片底部金屬座的厚度和尺寸,有效改善了散熱性能,降低了封裝熱阻。實驗測量表明,大功率紅外發(fā)光二極管峰值波長為850nm,發(fā)光束角10°,典型輸入功率為0.5W,最大輸入功率可以達(dá)到2W以上,最大電光轉(zhuǎn)換效率可達(dá)37.82%,最大輻射功率達(dá)到415.25mW。

LED發(fā)光二極管

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LED發(fā)光二極管 半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(簡稱 LED)、數(shù)碼管、符號管、米字管及點陣式 顯示屏(簡稱矩陣管)等。事實上,數(shù)碼管、符號管、米字管及矩陣管中的每個發(fā)光單 元都是一個發(fā)光二極管。 一、 半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用 (一) LED發(fā)光原理 發(fā)光二極管是由Ⅲ -Ⅳ族化合物,如 GaAs(砷化鎵)、 GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷 化鎵)等半導(dǎo)體制成的,其核心是 PN結(jié)。因此它具有一般 P-N結(jié)的 I-N 特性,即正向?qū)?通,反向 截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下, 電子由 N區(qū)注入 P區(qū),空穴由 P區(qū)注入 N區(qū)。進(jìn)入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部 分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光,如圖 1所示。 假設(shè)發(fā)光是在 P區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光,或者先被發(fā) 光中心捕獲后,再與空穴復(fù)合發(fā)光。 除了這種發(fā)光

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