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介紹一種特別的雙向可控硅芯片的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在芯片正面和背面均采用臺面玻璃鈍化工藝保護PN結(jié)終端以獲得可靠的正反向阻斷特性。描述了芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和制造工藝流程,并對封裝過程中存在的主要問題和解決辦法進行了分析和討論。
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雙向可控硅及其觸發(fā)電路 雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件， 也稱雙向晶閘管， 在單片機控制系統(tǒng)中， 可作為功 率驅(qū)動器件， 由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題， 控制電路簡單， 因此特別適合做交流無觸 點開關(guān)使用。 雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器， 且連接在強電網(wǎng)絡(luò)中， 其 觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要， 通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加 載到可控硅的控制極。 為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時產(chǎn)生的干擾， 交流電路雙向可控硅的 觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。 （過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通， 由于采用過零 觸發(fā)，因此需要正弦交流電過零檢測電路） 雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導(dǎo)通條件如下圖： 總的來說導(dǎo)通的條件就是： G極與T1之間存在一個足夠的電壓時并能夠提供足夠 的導(dǎo)通電流就可以使可控硅導(dǎo)通，這個電壓可以是正、負(fù)，和 T1、T2之間的電流
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