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86RCD吸收電路的影響和設(shè)計(jì)方法(定性分析)

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開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

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開關(guān)電源設(shè)計(jì)之 MOS管反峰及 RCD吸收回路 技術(shù)分類: 電源技術(shù) 電源網(wǎng) 對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的 條件面前做出選擇, 那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話 題就是一對相互對立的條件。(即要限制主 MOS管最大反峰, 又要 RCD吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做幾個(gè)假設(shè): ① 開關(guān)電源的工作頻率范圍 :20~200KHZ; ② RCD中的二極管正向?qū)〞r(shí)間很短(一般為幾十納 秒); ③ 在調(diào)整 RCD回路前主變壓器和 MOS管,輸出線路的參 數(shù)已經(jīng)完全確定。 有了以上幾個(gè)假設(shè)我們就可以先進(jìn)行計(jì)算: 一﹑首先對 MOS管的 VD進(jìn)行分段: ⅰ,輸入的直流電壓 VDC; ⅱ,次級反射初級的 VOR; ⅲ,主 MOS管 VD余量 VDS; ⅳ,RCD吸收有效電壓 VRCD1。 二﹑對于以上主 MOS管 VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算: ⅰ,輸入的直流電壓 VDC。 在計(jì)算

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