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更新時間：2025.06.14
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五、電荷放大器 電荷放大器主要由一個高增益反向電壓放大器和電容負(fù)反饋組成。輸入端的 MOSFET 或 J-FET 提供高絕緣性能，確保極低的電流泄露。 電荷放大器將壓電傳感器產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)換為成比例的電壓， 用來作為監(jiān)測和控制過程的 輸入量。電荷放大器主要由一個具有高開環(huán)增益和電容負(fù)反饋的 MOSFET( 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶 體管 )或 JFET(面結(jié)型場效應(yīng)晶體管 )的反向電壓放大器組成， 因此它的輸入產(chǎn)生高絕緣阻抗， 會引起少量電流泄漏。忽略 Rt 和 Ri，輸出端電壓為： )( 1 1 1 crt r r o CCC AC C Q U 對于足夠高的開環(huán)增益，系數(shù) 1/AC 接近于零。因此可以忽略電纜和傳感器的電容，輸 出電壓僅由輸入端電壓和量程電容決定。 r o C QU 電荷放大器可看成是電荷積分器， 它總是在量程電容兩端以大小相等， 極向相反的電荷 補償傳感器產(chǎn)生的電荷。 量程電容兩端
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研究了百皮秒脈沖在摻鐿雙包層光纖放大器(YDDCFA)中的放大特性及非線性效應(yīng)。在1053 nm波段,分別對重復(fù)頻率為70 MHz的準(zhǔn)連續(xù)百皮秒信號和1 Hz的單脈沖百皮秒信號進行了放大。準(zhǔn)連續(xù)脈沖輸入信號平均功率為55 mW,譜寬為0.016 nm,飽和增益為7.02 dB,使用法布里-珀羅(F-P)干涉儀測量自相位調(diào)制(SPM)效應(yīng)引起的信號光譜展寬為0.01 nm。單脈沖輸入信號峰值功率為8.1 W,在輸出峰值功率為6950 W、增益為29.3 dB時發(fā)生受激拉曼散射(SRS)效應(yīng),利用光纖布拉格光柵拉伸掃描的方法,觀察到SPM和SRS效應(yīng)引起的光譜變化,利用單模光纖的色散作用分離信號脈沖和斯托克斯脈沖,對SRS現(xiàn)象進行了判斷,解決了單脈沖光譜不易觀察的問題。實驗結(jié)果表明,SRS效應(yīng)是制約百皮秒脈沖放大的主要因素。
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