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對(duì)電容成像交流法微電容測(cè)量電路由雜散電容導(dǎo)致的測(cè)量噪聲進(jìn)行了研究。利用運(yùn)算放大器的噪聲模型,對(duì)運(yùn)算放大器輸入電壓噪聲、輸入電流噪聲以及周邊電阻元件的熱噪聲通過(guò)雜散電容作用于交流法微電容測(cè)量電路輸出的影響進(jìn)行了理論分析,給出了測(cè)量電路輸出中噪聲峰峰值的理論計(jì)算公式并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。理論分析及實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:交流法微電容測(cè)量電路前級(jí)運(yùn)算放大器輸入電壓噪聲通過(guò)測(cè)量端與地之間的雜散電容形成的噪聲是該微電容測(cè)量電路輸出噪聲的主要來(lái)源。最后給出了電容成像系統(tǒng)前級(jí)運(yùn)算放大器選型的指導(dǎo)原則。
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一、電容的主要參數(shù)： 1、 電壓 1） 額定電壓：兩端可以持續(xù)施加的電壓，一般為直流電壓，通常用 VDC。而專(zhuān)用于 交流電的則為交流有效值電壓，通常為 VAC。 電容器的交直流額定電壓換算關(guān)系 直流額定電壓 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流額定電壓 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2） 浪涌電壓：電解電容特有的電壓參數(shù)，是短時(shí)間可以承受的過(guò)電壓，為額定電壓的 1.15 倍。 3） 瞬時(shí)過(guò)電壓：是鋁電解電容特有電壓參數(shù)，為可以瞬時(shí)承受的過(guò)電壓，這個(gè)浪涌電 壓約為額定電壓的 1.3 倍，是鋁電解電容的擊穿電壓。 4） 介電強(qiáng)度：電容額定電壓低于電容中介質(zhì)的擊穿電壓。一般為額定電壓的 1.5~2.5 倍。如：鋁電解電容的擊穿電壓約為額定電壓的 1.3 倍；其它介質(zhì)則通常為 1.75~2 倍以上。 5） 試驗(yàn)電壓：薄膜電容
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