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設計了一種采用金屬支架直接導熱的大功率紅外發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)通過增加芯片底部金屬座的厚度和尺寸,有效改善了散熱性能,降低了封裝熱阻。實驗測量表明,大功率紅外發(fā)光二極管峰值波長為850nm,發(fā)光束角10°,典型輸入功率為0.5W,最大輸入功率可以達到2W以上,最大電光轉(zhuǎn)換效率可達37.82%,最大輻射功率達到415.25mW。
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為滿足釬焊原理和條件的要求,選用軟釬焊封接工藝,對鍺窗口進行了金屬化處理。對金屬化材料與焊料的選擇、配制以及釬焊等工藝做了大量的探索與實驗,并取得了有用的結(jié)果。該工藝技術已應用于制作紅外探測器件。
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