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IGBT 并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 IGBT 并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián) IGBT 的直流母 線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因 此需要盡量對稱; 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異,因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異,設(shè)計機(jī)械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時需要考慮; 4、 IGBT 模塊所處的磁場差異; 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動態(tài)均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異, VGEth 越高, IGBT 開通時刻越晚, 不同模塊會有差異; 2、每個并聯(lián)的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異; 3、門極電壓 Vge 的差異; 4、門極回路中的雜散電感量的差異; 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異; 6、 IGBT 模塊所處的磁場的差異。 IGBT 芯片溫度對均流的影響 IGBT 芯片的溫度對于動態(tài)均
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