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更新時(shí)間:2025.05.31
焦平面紅外探測(cè)器應(yīng)用現(xiàn)狀

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焦平面紅外探測(cè)器應(yīng)用現(xiàn)狀 0 引言 紅外探測(cè)器廣泛應(yīng)用于軍事、 科學(xué)、工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和醫(yī)療衛(wèi)生等各個(gè)領(lǐng)域, 尤其在軍事領(lǐng)域, 紅外探測(cè)器在精確制導(dǎo)、瞄準(zhǔn)系統(tǒng)、偵察夜視等方面具有不可替代的作用。近年來(lái),紅外 探測(cè)器的需求不斷增加。 據(jù)美國(guó)相關(guān)公司市場(chǎng)調(diào)研分析師預(yù)測(cè),全球軍用紅外探測(cè)器需求 額有望在 2020年達(dá)到 163.5億美元,復(fù)合年均增長(zhǎng)率為 7.71%。 紅外探測(cè)器按探測(cè)機(jī)理可分為熱探測(cè)器和光子探測(cè)器, 按其工作中載流子類型可以分為多 數(shù)載流子器件和少數(shù)載流子器件兩大類, 按照探測(cè)器是否需要致冷,分為致冷型探測(cè)器和 非致冷型探測(cè)器。 非致冷探測(cè)器目前主要是非晶硅和氧化釩探測(cè)器,致冷型探測(cè)器主要包 括碲鎘汞三元化合物、量子阱紅外光探測(cè)器Ⅱ類超晶格等。 在過(guò)去的幾十年里,大量的新型材料、新穎器件不斷涌現(xiàn),紅外光電探測(cè)器完成了第一代 的單元、多元光導(dǎo)器件向第二代紅外焦平面器件的跨越, 目前正朝

128×128短波/中波雙色紅外焦平面探測(cè)器

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首次在國(guó)內(nèi)報(bào)道了128×128面陣短波/中波(SW/MW)雙色碲鎘汞(HgCdTe)紅外焦平面探測(cè)器(infraredfocal plane arrays,IRFPAs)的研究成果.基于由采用分子束外延(MBE)和原位摻雜技術(shù)生長(zhǎng)的p-p-P-N型碲鎘汞(Hg1-xCdxTe)多層異質(zhì)結(jié)材料,通過(guò)B+注入、臺(tái)面腐蝕、臺(tái)面?zhèn)认蜮g化和爬坡金屬化,以及雙色探測(cè)芯片與讀出電路(Readout Integrated Circuit,ROIC)混成互連等工藝,得到了128×128面陣雙色焦平面探測(cè)器.通過(guò)濕化學(xué)腐蝕方法的優(yōu)化,將光敏元尺寸為(50×50)μm2的雙色微臺(tái)面探測(cè)器的占空比提高了一倍.該面陣雙色紅外焦平面探測(cè)器具有較好的均勻性和正常的光電特性.在液氮溫度下,二個(gè)波段的光電二極管截止波長(zhǎng)λc分別為2.7μm和4.9μm,對(duì)應(yīng)的峰值探測(cè)率Dλ*p分別為1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011cmHz1/2/W.

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