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通過器件模擬并結合實驗結果,在已有PIN(Positive intrinsic negative)和DPD(Double photo-diodes)探測器電路模型基礎之上,對帶淺溝槽隔離(STI)準PIN結構的DPD探測器電路模型進行了探討。模擬了由深N阱和淺溝槽給DPD帶來的性能上的改變,同時結合實驗結果,從響應電流和探測器的等效串聯電阻兩方面對電路模型進行了修正,得到了符合該器件的較準確電路模型。
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