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東芝公司推出一種新的小型低斷面GaAsMESFET、單刀雙擲開(kāi)關(guān)。這種小型開(kāi)關(guān)非常適用于多波段/多模蜂窩天線(xiàn)開(kāi)關(guān)組件、藍(lán)牙組件和無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)。上述GaAsMESFET MMIC 1 GHz下插損0.35 dB(2 GHz下0.40 dB),1 GHz和2 GHz下隔離24 dB。其功率性能優(yōu)良,25 GHz下1 dB壓縮功率(P1 dB)為17 dBm,對(duì)于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種TG2217CTB型單刀雙擲開(kāi)關(guān)采用甚小低斷面無(wú)引線(xiàn)6針芯片級(jí)封
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本文介紹了一種利用單驅(qū)動(dòng)電壓控制通路選擇的新型RFMEMS單刀雙擲開(kāi)關(guān),利用三維仿真軟件Ansoft HFSS和ANSYS進(jìn)行仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)該開(kāi)關(guān)的性能。仿真結(jié)果表明:驅(qū)動(dòng)電壓為22V,開(kāi)關(guān)時(shí)間為22μs,在中心頻率30GHz處,開(kāi)關(guān)處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42dB,回波損耗為43dB,隔離度為29dB;而當(dāng)開(kāi)關(guān)處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53dB,回波損耗為19dB,隔離度為28dB,該開(kāi)關(guān)的性能仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)達(dá)到理想情況。。
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