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場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)介紹

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場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)介紹一、場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法第二種命名方法是 CS××#， CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)， #用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如 CS14A、CS45G等。二、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 1、 I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓 U GS=0時(shí)的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 3、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓 U GS — 對(duì)漏極電流 I D的控制能力，即漏極電流 I D變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值。 gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓 UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加

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(完整版)全系列場(chǎng)效應(yīng)管VMOSIGBT參數(shù)

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1 全系列場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS 、IGBT 參數(shù) 產(chǎn) 品型號(hào) 溝道主要參數(shù) 外型廠(chǎng) 家 IRF064 N 60V、40A、 180W TO—— 3P IR IRFP150 N 100V、40A、180W TO—— 3P IR IRFP240 N 200V、18A、180W TO—— 3P IR IRFP250 N 200V、32A、180W TO—— 3P IR IRFP260 N 250V、38A、250W TO—— 3P IR IRFP264 N 200V、46A、280W TO—— 3P IR IRFP350 N 400V、16A、180W TO—— 3P IR IRFP360 N 400V、24A、180W TO—— 3P IR IRFP450 N 500V、13A、180W TO—— 3P IR IRFP460 N 500V、21A、180W T

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不可以.場(chǎng)效應(yīng)管允許通過(guò)的電流比晶體管要小很多,功率不大,不能用作功放管.就是晶體管也要接成互補(bǔ)或推挽結(jié)構(gòu)才能用作功放管. 你也可以考慮用集成功率放大器,這個(gè)也不貴,而且性能好,電...查看詳情

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場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 型號(hào) 標(biāo)識(shí) 問(wèn)題 (1) 18

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（...查看詳情

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關(guān)于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通截止問(wèn)題？ (1) 79

1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制的元件，控制極和其他極不導(dǎo)通。2.N溝道的控制極高壓時(shí)。漏極和源極導(dǎo)通。漏極流向源極。3.P溝道，一個(gè)很麻煩的元件。要負(fù)壓控制。P溝道的控制極為低壓（負(fù)電壓）...查看詳情

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場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話(huà)說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以門(mén)極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的門(mén)極電壓控制ID”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏...查看詳情

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